Новое поколение компьютерной памяти

Печать
Опубликовано: 29 декабря 2014 29 декабря 2014
Просмотров: 1422 1422

Современные технологии компьютерной памяти для кодирования данных используют электрический ток и, соответственно, потребляют значительное количество энергии. Если бы вместо этого данные могли быть закодированы с помощью электрического поля, приложенного поперек изолятора, то это требовало бы гораздо меньше энергии. Новые устройства магнитоэлектрической памяти как раз позволяют это сделать.

 Команда из Корнельского университета во главе совершили прорыв в направлении устройств магнитоэлектрической памяти для комнатной температуры. Эквивалент одного компьютерного бита, оно обладает достоинствами следующего поколения энергонезависимой памяти - для переключения требуется только электрическое поле.

Исследователи сделали новое устройство из феррита висмута, который обладает редким эффектом: он является магнитным материалом, т.е. имеет свое собственное, постоянное локальное магнитное поле, а также одновременно сегнетоэлектриком, т.е. всегда электрически поляризованным, и поляризация может быть «включена» путем приложения электрического поля. Такие материалы относят к ферроикам. Исследователи обнаружили, что переключение устройства происходит в два этапа.

Феррит висмута может быть использован для запоминающих устройств с относительно простой геометрией. Самое главное то, что такое устройство работает при комнатной температуре. Раньше аналогичные результаты были получены с использованием других материалов, но при крайне низких температурах, таких как 4 К.

Источник: http://mediarelations.cornell.edu/2014/12/18/instant-start-computers-possible-with-new-breakthrough/